1.半導體廢氣簡述

半導體製（zhì）造工藝中需要使用多種特殊氣體（tǐ）、大量的酸、堿等化學品（pǐn）以及（jí）有機溶劑（jì）和揮發性液體，這些氣體和化學品在半導體製造的不同工（gōng）藝中使用（yòng），產生酸性、堿性、有機廢氣，這些廢氣如果沒（méi）有經過處理直接排放，將造成嚴重（chóng）的汙染問題，不僅（jǐn）影響人（rén）們的身體健康，惡化大氣環境（jìng），造成環境汙染的公害事件等，因此，必須對半導體廢氣（qì）進行淨化處理後，達到大氣汙染物標（biāo）準排放。

1.1半導體廢氣汙染物來源

（1）酸性/堿性工（gōng）藝廢氣

酸性（xìng）廢氣來（lái）源於工藝流程中使用的各種酸液和酸性氣體對芯（xīn）片的腐蝕過程和（hé）清洗過程，主（zhǔ）要汙染物為氟化物、硫酸霧、氮氧化物（wù）、氯（lǜ）化氫；堿性廢氣來源於刻蝕工序和工（gōng）藝過（guò）程中使用的氨（ān）水和氨氣，主要（yào）成分為氨。

（2）有機廢氣

有機廢氣汙染物丙酮、甲醇、二甲苯和異丙醇來源於（yú）使用有機溶劑清洗和光刻過程。半導體製造工藝中使用的有機溶劑量比較大，因此，對有（yǒu）機廢氣處理采取單獨處理設備。

（3）特殊氣體工（gōng）藝尾氣

特殊氣體工藝廢氣是指在氧化、擴（kuò）散、CVD沉積、離子注入、幹法刻蝕等工（gōng）序中產生的微量矽烷、磷烷、硼烷、以及CLa、CF4。

2.半導體廢氣處（chù）理方法

2.1半導體工藝尾氣處理

（1）摻雜氣體工藝尾氣處（chù）理（lǐ）

在集成電路芯片的加工過程中，摻雜氣體（tǐ）工藝尾氣主要來自擴散、CVD沉積、離子注入工序，尾氣中含有微量矽烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為防（fáng）止出現工（gōng）藝（yì）尾氣中特殊氣體（tǐ）的排放濃度突然增大的情況和其它（tā）意外突發情況，確保工藝尾氣的安全處理效果，經源頭處理後的工（gōng）藝尾氣再經有機廢氣（qì）處理係統和酸性廢氣處理係統處理後排放。

即要求擴散爐、強（qiáng）束流離子注入機、低濃度離子注入機、CVD機配套工藝尾氣淨化裝置，工藝尾氣再經有（yǒu）機廢氣處理係統和（hé）酸性廢氣處理係統（tǒng）處理後排放。

半導體芯片廠一般配套的（de）工（gōng）藝尾氣淨化裝置采用燃燒法處理這些廢氣，並（bìng）且將燃燒過的排氣再經有機廢（fèi）氣處理（lǐ）係統和酸性廢（fèi）氣處理（lǐ）係統作（zuò）進一步處（chù）理。

燃燒後的SiO2、PO等顆粒（lì）物沉澱，燃燒產生的尾氣納入酸性廢（fèi）氣處理係統，可（kě）被堿液噴淋吸收（shōu）淨化處理。

（2）幹法蝕刻工藝尾（wěi）氣處理

幹法刻蝕使用氯氣、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大部分氯氣和全氟化物（wù）轉化為（wéi）氯化氫和氟化物，未反應部分經配套的工藝尾氣淨化裝置處理，再經（jīng）有機廢氣處理（lǐ）係統和酸性廢氣處理係統處理後排放（fàng）。一般對氯氣（qì）和全氟化物工藝尾氣采用化學吸附法處理。

2.2 半（bàn）導體工藝廢氣處理

（1）酸性、堿性氣體處理方法

酸性廢氣處理（lǐ）方法是采用“堿液（yè）噴淋塔”進行處理，以10%的氫（qīng）氧化鈉溶液為吸收液。堿性廢氣處理方法是采用“酸液噴（pēn）淋塔”進行處（chù）理，以10%的硫酸（suān）溶液（yè）為（wéi）吸收（shōu）液。酸性、堿性（xìng）廢氣洗滌淨（jìng）化法，在電子行業生產中（zhōng）應用相當普遍，具有運行穩定，處理效果好，投資（zī）少，處理費用低等優點。

（2）有機廢氣處理方法

清洗（xǐ）槽、光刻機（jī）、去膠機等產生的有機廢氣，然而（ér）對於（yú）有機廢（fèi）氣處理方法有很多種，常見主要有活性炭吸附法、燃燒法、UV光解淨（jìng）化（huà）法等，接下來，天浩洋環保小（xiǎo）編（biān）詳細介紹半導體有機廢氣（qì）處理方法。

① 活性（xìng）炭吸附法

活性炭吸附法主要原理就是利用（yòng）多孔固體吸附劑（活性碳、矽膠、分（fèn）子篩等）來處理有機廢氣，這樣就能夠通過化學鍵力或（huò）者是分子引力（lì）充分吸附有害成分（fèn），並且將其吸（xī）附在（zài）吸附劑（jì）的表麵，從而達到淨化有機廢氣的目的。吸附法目前主要應用於大風量、低濃度（≤800mg/m3）、無顆粒物、無粘性（xìng）物、常（cháng）溫（wēn）的低濃度有機廢氣淨（jìng）化處（chù）理。

活性炭（tàn）淨化（huà）率高（活性炭吸附可達到95%以上），實用遍及，操縱簡單，投資低（dī）。在吸附（fù）飽和以後需（xū）要更換新的活性（xìng）炭，更（gèng）換（huàn）活性炭需要（yào）費（fèi）用，替換下來的飽和以（yǐ）後的活性炭也（yě）是需要找專業人員進行危廢處理，運行費用高。

② 燃燒法

燃燒（shāo）法隻在揮（huī）發性有（yǒu）機（jī）物（wù）在高（gāo）溫及空氣充足的條件下進行完全燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法（fǎ）適用於各類有機廢氣，可以分為直接（jiē）燃燒、熱力燃燒和催化燃燒。

排放濃度大於5000mg/m³ 的高濃度廢氣一般采用直接燃燒法，該方法將（jiāng）VOCs廢氣作為燃料進行燃燒，燃燒溫度一（yī）般（bān）控製在1100℃，處（chù）理效率高，可以達（dá）到95％一99％。

熱力燃燒法適合於處理濃度在1000—5000 mg/m³ 的廢氣，采用熱力燃燒法，廢氣中VOCs濃度較（jiào）低，需要借助其他燃料或助燃氣體，熱力燃燒所需的溫度較直接燃燒（shāo）低，大約為540—820℃。燃燒法（fǎ）處理VOCs廢氣處理效率高，但VOCs廢氣若含有S、N等元素，燃燒後產生的廢氣直接外排會導致二次汙染。

通過熱（rè）力燃燒或者催化燃燒法處理有機（jī）廢氣，其淨化（huà）率是比較（jiào）高（gāo）的，但是其投資運營成（chéng）本極高。因廢氣排放的點多且分散（sàn），很難實現集中（zhōng）收集。燃燒裝置需（xū）要多套且需（xū）要很大的占地麵積。熱力燃燒比較適合24小時連續不斷運行且濃度較高而穩（wěn）定的廢氣工（gōng）況，不適合（hé）間斷性的生（shēng）產產線工況（kuàng）。催化燃燒的投資和（hé）運營費（fèi）用相對熱力燃燒較低，但淨化（huà）效率也相對較低一些；但貴金屬催化劑容易因為廢氣中的（de）雜質（如（rú）硫化物）等造（zào）成中毒（dú）失效（xiào），而更換催化劑的費用很高；同時對廢氣進氣條件的控製非常嚴（yán）格，否則會造成催化燃燒室堵塞而引（yǐn）起安全事故。

③ UV光解淨化（huà）法

UV光解（jiě）淨（jìng）化法利用高能UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產生遊離氧（即活性氧），因（yīn）遊離（lí）氧所攜帶正負電子不平衡（héng）所以需與氧分子結合（hé），進而產生（shēng）臭（chòu）氧，臭氧具有很強的氧化性，通過臭氧（yǎng）對有機廢氣（qì）、惡臭氣體進行協同光解氧化作用，使有機廢氣、惡臭氣體物質降解轉化（huà）成低分（fèn）子化合物、CO2和H2O。

UV光解淨化法具有高效（xiào）處理效率，可（kě）達到95%以上；適應性強，可（kě）適應中低濃（nóng）度，大氣量，不同有機廢氣以及惡（è）臭（chòu）氣（qì）體物質的淨化處理；產品性（xìng）能穩定，運行穩定可靠，每天可24小時連續工作；運（yùn）行成本低，設備耗能低，無需專人管理與維護，隻需作定期檢查。UV光解法因采用光解原理（lǐ），模塊采取隔爆處理，消除了安全隱患，防火、防爆、防腐蝕性能高（gāo），設備性能安（ān）全穩定，特別適用於化工、製藥等防爆要求高的（de）行業。

以上關於半導體廢氣處（chù）理方法介紹，希（xī）望可以幫到您，其實對於半導體廢氣處理，一般是需要根據廢氣的濃度、產生量、廢氣成分、如何收集等方麵（miàn）進行設計（jì）。如果您（nín）有（yǒu）半導體廢氣需要淨化處理，可以隨時撥打400 808 2272電話，谘詢天浩洋環保,為您提（tí）供半導體廢氣處理方（fāng）案（àn）及設備。